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曜世小課堂48期——金剛石:開辟半導體發(fā)展的新賽道
曜世小課堂48期——金剛石:開辟半導體發(fā)展的新賽道
曜世小課堂48期——金剛石:開辟半導體發(fā)展的新賽道 2024-12-18

       半導體技術(shù)發(fā)展中,金剛石作為第四代材料脫穎而出,正開拓新領(lǐng)域,為解決傳統(tǒng)問題提供新方案。

金剛石半導體的特性:

1、超寬帶隙:金剛石帶隙寬達5.47eV,極端條件下電學性能穩(wěn)定。與硅、鍺相比,其高帶隙能承受強電場,減少電子散射,利于高速大功率器件。

2、高載流子遷移率 :金剛石載流子遷移率高,電子遷移率可高達4500cm2/(V·s),利于高頻高速器件。在射頻通信中,它能減少信號延遲,提升器件響應(yīng)與工作頻率。

3、高擊穿電場 :金剛石擊穿電場強達10MV/cm,高耐壓,適用于高功率半導體器件。在電力電子領(lǐng)域,它能提升器件耐壓,減損減熱。

4、高導熱率 :金剛石擁有已知材料中最高的熱導率,室溫下可達到2300W/(m·K)。金剛石高導熱率速散熱,保障高功率、高集成器件性能穩(wěn)定,提升可靠性和壽命。

5、化學穩(wěn)定性和機械性能 :金剛石化學穩(wěn)定,硬度高,機械強,保持結(jié)構(gòu)完整與性能穩(wěn)定,保障惡劣條件下半導體應(yīng)用。

金剛石在半導體領(lǐng)域的應(yīng)用

1、功率電子器件:金剛石作為第四代半導體材料,在功率電子領(lǐng)域前景廣。其高電場擊穿率與導熱性使其適用于高電壓、大電流功率開關(guān)器件(如MOSFET、IGBT)。這些金剛石器件能減阻、降損、提效,在電力、電動車等領(lǐng)域潛力巨大。

2、射頻通信器件 :金剛石在射頻通信中因其高載流子遷移率和電子飽和速度,成為高頻高性能器件的優(yōu)選。金剛石高頻晶體管可用于5G/6G基站和終端,提高數(shù)據(jù)傳輸速度和降低延遲,提升系統(tǒng)性能。

3、光電器件 :金剛石在光電器件方面獨具優(yōu)勢,其寬帶隙特性適用于制造深紫外LED和LD,應(yīng)用于殺菌消毒及光刻等領(lǐng)域。同時,金剛石還能制造高性能光電探測器,用于紫外線、X射線探測,在環(huán)境監(jiān)測、醫(yī)療成像等領(lǐng)域前景廣闊。

4、量子信息領(lǐng)域 :金剛石因特殊性質(zhì)受量子信息科學關(guān)注,其中雜質(zhì)(如氮-空位中心)可作量子比特材料。利用這些特性,可實現(xiàn)量子計算、通信及傳感應(yīng)用,為信息科學發(fā)展提供新手段。

        金剛石雖為第四代半導體材料具優(yōu)勢,但應(yīng)用仍面臨挑戰(zhàn):制備成本高、需改進CVD等工藝降低成本提質(zhì);與傳統(tǒng)半導體工藝兼容性待提升。傳統(tǒng)金剛石市場有限,半導體市場潛力巨大。需融合傳統(tǒng)金剛石產(chǎn)業(yè),開拓新賽道,加速金剛石半導體產(chǎn)業(yè)布局。

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