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培育鉆石的火熱，不僅在于珠寶行業(yè)，更多應(yīng)用前景在于高精尖工業(yè)領(lǐng)域。金剛石作為材料之王，具備了許多優(yōu)異的物理化學(xué)性能。金剛石單晶是終極半導(dǎo)體材料。它結(jié)合了出色的結(jié)晶度、極高的擊穿電壓、出色的電學(xué)性能和極高的導(dǎo)熱系數(shù)。最突出的是其很高的熱導(dǎo)率，在30-650℃時，金剛石是固體物質(zhì)中熱導(dǎo)率最高的晶體。

晶體熱導(dǎo)率由熱容、聲子平均自由程、聲子速度決定，金剛石晶格非諧振動弱，聲子平均自由程長；德拜（Debye）溫度高，聲子速度快，因此熱導(dǎo)率極高。在室溫下，金剛石的熱導(dǎo)率是銅的5倍，是硅的15倍，相比其他物質(zhì)具有明顯的優(yōu)勢。

圖：金剛石等物質(zhì)熱性能

單晶金剛石材料：單晶金剛石是金剛石材料類中熱導(dǎo)率最高的一種，這與其晶體結(jié)構(gòu)密切相關(guān)，主要通過晶格振動即聲子導(dǎo)熱。單晶金剛石用作散熱主要有兩種方式。一種是直接用作替代外延襯底，原位生長材料制備器件，通過器件有源區(qū)與金剛石緊密接觸，利用金剛石超高的熱導(dǎo)率將熱量均勻分布到襯底中。另一種是在單晶金剛石結(jié)構(gòu)中加入微通道結(jié)構(gòu)，利用流體將內(nèi)部熱量帶出，達(dá)到降溫的目的。

大面積單晶金剛石襯底主要為開發(fā)和產(chǎn)業(yè)化多種電子器件提供外延生長襯底。大功率金剛石電力電子器件：其可替代現(xiàn)有的Si、SiC等電力轉(zhuǎn)換器件和開關(guān)電源，大幅減小轉(zhuǎn)換器件尺寸，而且無需散熱，實現(xiàn)轉(zhuǎn)化效率的大幅提升和功耗的大幅下降，可靠性大幅提升。金剛石電子器件的耗能將是現(xiàn)在使用的器件的1/3-1/5。

超高頻大功率金剛石電子器件(微波、毫米波雷達(dá))：可用在火控武器系統(tǒng)、雷達(dá)、高速無線通信、火箭及航空航天等領(lǐng)域。可替代現(xiàn)在使用的行波管，使得武器系統(tǒng)和通信系統(tǒng)更加小型化和可靠性的大幅提高，大幅提高通信系統(tǒng)的數(shù)據(jù)傳輸速率，大幅降低衛(wèi)星及其它航天器的重量、發(fā)射成本和抗輻照能力。

應(yīng)用于集成電路芯片：開發(fā)基于金剛石的下一代集成電路芯片，徹底解決集成電路散熱瓶頸問題，使得集成電路更加大規(guī)?；?，更加高速化。金剛石紫外LED、LD：可使用在環(huán)保與醫(yī)用殺菌，高密度數(shù)據(jù)儲存等方面。DNA等生物傳感器：利用金剛石與生物細(xì)胞的親和性及其生物傳感器的高靈敏性，開發(fā)各種金剛石生物傳感器;同時，也可以制成生物武器探測器等。日盲紫外探測器和超快粒子輻射閃爍體探測器：應(yīng)用于導(dǎo)彈制導(dǎo)與預(yù)警、深空x光通信。

多晶金剛石材料：目前，將金剛石作為功率器件的熱沉或襯底已經(jīng)研究出多種技術(shù)形式，其中主要有：基于襯底轉(zhuǎn)移技術(shù)的金剛石鍵合，基于金剛石鈍化層的低溫沉積以及金剛石上的器件外延生長?，F(xiàn)階段，多晶金剛石與Si、GaN、Ga2O3等的室溫鍵合已經(jīng)通過表面活化鍵合（SAB）技術(shù)實現(xiàn)。

多晶金剛石作為大功率芯片、電子器件散熱片方面具備高性能優(yōu)勢，未來隨產(chǎn)量提升+成本下降有望在半導(dǎo)體散熱片領(lǐng)域得到大規(guī)模應(yīng)用。目前已實現(xiàn)4英寸電子級多晶金剛石的商業(yè)化量產(chǎn)，國際最大制備尺寸可達(dá)8英寸，隨著MPCVD技術(shù)的改善升級有望與現(xiàn)存的8英寸半導(dǎo)體晶圓制造產(chǎn)線兼容，最終實現(xiàn)多晶金剛石熱沉材料在半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)的規(guī)?；瘧?yīng)用推廣。

納米金剛石材料用作散熱一般是作為高熱流密度器件鈍化層，可在器件表面進(jìn)行均熱，為器件增加一條導(dǎo)熱通路，提升器件表面均溫性能。氫等離子體對氮化鎵具有反應(yīng)刻蝕作用，導(dǎo)致器件直接沉積金剛石的方法需要低溫條件并且需要耐氫設(shè)計。在耐氫保護(hù)層表面，金剛石需要均勻高密度形核，同時需要高定向排列，以提升金剛石鈍化層整體導(dǎo)熱能力。

哈爾濱工業(yè)大學(xué)與中國電子科技集團有限公司55所合作，研制納米金剛石鈍化GaN器件，在600℃制備晶粒尺寸可控納米金剛石鈍化層，實現(xiàn)高導(dǎo)熱金剛石層對器件表面的全覆蓋，但仍存在納米金剛石熱導(dǎo)率相比單晶熱導(dǎo)率較差，散熱效果有限的問題，仍有進(jìn)一步探索的空間。

小型化輕量化的電子器件發(fā)展需求引領(lǐng)著散熱材料和散熱方案的改變，輕質(zhì)高熱導(dǎo)率成為散熱材料的發(fā)展目標(biāo)，金剛石已成為最優(yōu)選擇之一。針對半導(dǎo)體行業(yè)的需求，金剛石生長的“大、純、快”是目前遇到的難點，超高導(dǎo)熱金剛石材料雖然提升了散熱效果，但實際應(yīng)用中仍存在諸多難題，例如單晶外延GaN材料仍無法大面積實現(xiàn)，大尺寸多晶金剛石的鍵合及納米金剛石鈍化在器件中的性能受界面熱阻的影響較大。如果解決了制備大尺寸單晶晶圓，高純電子級金剛石的可控生長等難點，那么金剛石產(chǎn)業(yè)發(fā)展將會掀開新的篇章。

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